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| 双矩形量子阱中电子拉曼散射研究 摘 要 非线性光学材料是非线性光学研究领域的重点，它拥有较快的响应速度以及非线性光学特性等特点，而人工合成的低维半导体材料就拥有以上的特点。拉曼散射是一个看似简单而又十分复杂的问题，它是非线性光学中的一个重要组成部分。本论文介绍了量子阱的概念、特点以及应用，利用有效质量近似和量子力学二阶微扰理论，具体以GaAs/AlxGa1-xAs材料为例从理论上研究了双矩形量子阱的电子拉曼散射。通过对拉曼光谱的分析，讨论了双量子阱的不对称性对系统光电性质的影响。通过研究发现，随着量子阱不对称性的增加，散射峰会发生红移现象。 关键词：非线性光学;量子阱;拉曼散射;微分散射截面 目 录 第一章 引言 1 1.1低维半导体材料 2 1.2低维系统的拉曼散射 2 1.3本文研究内容及安排 3 第二章 量子阱基本理论 5 2.1半导体超晶格与量子阱概念 5 2.2量子阱的相关应用 6 第三章 量子阱中非线性光学 8 3.1拉曼散射的概念及特点 8 3.2几种常见的拉曼散射 8 3.3拉曼散射的经典和量子解释 10 第四章 量子阱中电子拉曼散射研究 12 4.1双矩形量子阱中的电子态 12 4.2微分散射截面 15 4.3结果与分析 17 总 结 20 参考文献 22 致 谢 23 |
