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si的浅沟槽隔离技术及其应用

更新时间:2019-06-13
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si的浅沟槽隔离技术及其应用

摘  要

随着半导体集成电路的技术逐步完善,从有限的晶圆表面,以最大极限去做出足够的器件已成为常态,正由于如此,晶圆表面的面积越来越不够用,器件与器件之间的距离也逐步被缩小,所以隔离工艺在整个电路技术中,成为非常重要的工艺。本课程设计主要介绍了半导体制造工艺中隔离技术的作用和发展,简单描述了结隔离、介电质隔离、局部氧化隔离工艺和浅沟槽隔离等常用隔离技术。由于集成电路的发展,其他的隔离技术已不适应现在的半导体工艺,本文以浅槽隔离技术工艺为重点详细介绍了隔离技术在半导体中的应用浅沟道隔离是目前大规模集成电路制造中用于器件隔离的主要方法。
关键词:结隔离;介电质隔离;局部氧化隔离工艺;STI

目  录

摘  要 I
目  录 II
第1章 绪论 1
1.1 集成电路工艺技术概述 1
1.2 隔离技术简介 1
第2章 隔离技术的原理 3
2.1隔离技术的原理 3
2.2隔离技术的新发展 3
第3章 浅沟槽隔离 6
3.1结隔离 6
3.2介电质隔离 6
3.3局部氧化隔离工艺 6
3.4浅沟槽隔离工艺简介 6
第4章 浅沟槽隔离技术 8
4.1浅沟槽隔离技术在半导体器件中的作用 8
4.2浅沟槽隔离刻蚀步骤 8
4.2.1隔离氧化层的成长 8
4.2.2氮化物淀积 8
4.2.3光刻掩膜 8
4.2.4浅沟槽刻蚀 8
4.3隔离技术得关键工艺 9
4.3.1氧化和氮化硅的生长 9
4.3.2沟壑光刻与刻蚀 9
4.3.3二氧化硅CMP 9
总结与展望 10
参考文献 11
致 谢 12